近日，国内规模最大的LED芯片企业——三安光电股份有限公司公告了在福建省泉州市芯谷南安园区的投资计划，投资总额高达333亿元。投资项目包括：氮化镓LED芯片、砷化镓LED芯片、大功率氮化镓激光器、光通讯器件、射频器件、功率半导体、特种衬底材料七个项目。
三安的投资布局体现了三安光电的发展战略和未来化合物半导体的发展方向。
1三安将在LED芯片领域继续加大投资
LED芯片行业在经历了降价潮后迅速回暖，市场主体进一步集中。2016年以来，国内龙头企业纷纷扩产。三安为了巩固其行业龙头地位，须跟进扩产，进一步提升行业竞争力。
2新兴光电器件成为化合物半导体行业的热点
光纤通信、数据中心等市场推动光通讯器件持续高速增长。激光显示、激光车灯等市场对高功率激光器需求旺盛。iPhone X手机人脸识别功能所使用的VCSEL激光器也受到市场的高度关注。
3化合物半导体将在射频和电力电子市场大显身手
在射频市场，全球的4G智能手机均搭载了GaAs射频器件，4G通信基站中已开始使用GaN射频器件，有源相控阵雷达的关键组件是GaN射频器件。未来5G和物联网将成为射频器件发展的机遇点。在电力电子市场，SiC器件凭借其大功率、高电压、耐高温的性能优势，已开始应用在光伏、轨道交通、新能源汽车等市场。GaN器件具备高性能、低成本的性能优势，也有望成为消费电子电源的解决方案。
